[发明专利]烧结制备致密碳化硼基陶瓷材料的方法无效
| 申请号： | 201210267777.5 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN102757224A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李晓光;江东亮;张景贤;林庆玲;陈忠明;黄政仁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/563 | 分类号： | C04B35/563;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种烧结制备致密碳化硼基陶瓷材料的方法，包括将碳化硼粉体和烧结助剂充分混合，其中所述烧结助剂至少包括第一烧结助剂，所述第一烧结助剂为碳化铬粉体；以及对所得混合物进行成型处理、干燥处理、排胶处理和烧结处理得所述致密碳化硼基陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 制备 致密 碳化 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】：
一种烧结制备致密碳化硼基陶瓷材料的方法，其特征在于，包括：将碳化硼粉体和烧结助剂充分混合，其中所述烧结助剂至少包括第一烧结助剂，所述第一烧结助剂为碳化铬粉体；以及对所得混合物进行成型处理、干燥处理、排胶处理和烧结处理得所述致密碳化硼基陶瓷材料。
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