[发明专利]发光二极管封装及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210267025.9 申请日: 2012-07-30
公开(公告)号: CN102903824A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 张种镇 申请(专利权)人: 斗星A-Tech;张种镇
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/54
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 朱健
地址: 韩国京畿道水原市灵通*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种发光二极管封装及其制造方法,其中,使用具有多层反射面的散热基板,并且将配线图形层延长至芯片安装区域的下部底面,从而确保片焊接工艺的容易性,并且能够减少封装的厚度,其包括:散热基板,其具有反射槽和安装槽,所述反射槽具有下部底面和宽度比下部底面宽的上部开口装置,从而在上部开口装置和下部底面之间形成斜面,所述安装槽在所述反射槽内具有下部底面和宽度比下部底面宽的上部开口装置,从而在上部开口装置和下部底面之间形成了斜面;绝缘层和配线图形层,所述绝缘层选择性地形成在所述散热基板上,所述配线图形层形成在所述绝缘层上,并且延长至所述安装槽底面,从而选择性地形成;发光二极管芯片,其安装在所述安装槽内;模压层,以发光二极管芯片为中心而形成。
搜索关键词: 发光二极管 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管封装,其包括:散热基板,其具有反射槽和安装槽,所述反射槽具有下部底面和宽度比下部底面宽的上部开口装置,从而在上部开口装置和下部底面之间形成斜面,所述安装槽在所述反射槽内具有下部底面和宽度比下部底面宽的上部开口装置,从而在上部开口装置和下部底面之间形成斜面;绝缘层和配线图形层,所述绝缘层选择性地形成在所述散热基板上,所述配线图形层形成在所述绝缘层上,并且延长到所述安装槽底面,从而选择性地形成;发光二极管芯片,其安装在所述安装槽内;模压层,其以发光二极管芯片作为中心而形成。
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