[发明专利]一种太阳能电池吸收层Cu2ZnSnS4薄膜的湿化学制备方法无效
申请号: | 201210265981.3 | 申请日: | 2012-07-29 |
公开(公告)号: | CN102800751A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 孙玉绣;郑慧娟;宗恺;张美娟;汪浩;严辉;刘晶冰;朱满康 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;C23C26/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种太阳能电池吸收层Cu2ZnSnS4薄膜的湿化学制备方法属于光电材料新能源领域。本发明步骤:(a)前躯体溶液制备(b)浸渍提拉前躯体薄膜制备(c)退火处理。本发明所提供的Cu2ZnSnS4薄膜制备方法,不需要使用昂贵的原材料和设备,各工艺步骤的控制性好,有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜,其工艺简单,可重复性强,易实现大规模生产,为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路,可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 吸收 cu sub znsns 薄膜 化学 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池吸收层Cu2ZnSnS4薄膜的湿化学制备方法,其特征在于按如下的步骤进行:a)前躯体溶液制备:将含Cu、含Zn、含Sn、含S的化合物,按照Cu:Zn:Sn:S摩尔比为2:1:1:5‑10,溶入乙二醇溶剂中,充分搅拌,得到透明前躯体溶液;b)前躯体薄膜制备:将镀Mo衬底的钠钙玻璃,浸入步骤a)中所前躯体述溶液中,然后提拉出液面,然后在200℃下干燥10min,然后再接着浸渍、提拉,干燥处理,重复多次,制备出300‑2000nm厚度的前躯体薄膜;c)退火处理:将步骤b)干燥后的前躯体薄膜,进行硫化或硒化退火处理形成Cu2ZnSnS4薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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