[发明专利]双真空室离子束抛光系统及抛光方法有效

专利信息
申请号: 201210265722.0 申请日: 2012-07-30
公开(公告)号: CN102744654A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 周林;戴一帆;袁征;解旭辉;李圣怡;任虹宇 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种双真空室离子束抛光系统,包括真空工作室,真空工作室旁设用于装卸工件的辅助真空室,真空工作室与辅助真空室间设用于控制二者通断的插板阀,真空工作室和辅助真空室内设有可在二者之间传送工件的工件传送装置。该系统可提高抛光效率、降低加工成本。一种抛光方法,S1)在真空工作室旁的辅助真空室内将工件安装在工件传送装置上,关闭辅助真空室,将辅助真空室抽气至真空,打开插板阀,通过工件传送装置将工件送到真空工作室并定位装夹,工件传送装置退回辅助真空室,关闭插板阀;S2)离子束抛光加工;S3)打开插板阀,工件传送装置进入真空工作室卸下工件、并带回辅助真空室,关闭插板阀,辅助真空室充气至大气压,打开辅助真空室取出工件。
搜索关键词: 真空 离子束 抛光 系统 方法
【主权项】:
一种双真空室离子束抛光系统,包括真空工作室(1),其特征在于:所述真空工作室(1)旁设有用于装卸工件的辅助真空室(2),所述真空工作室(1)与辅助真空室(2)之间设有用于控制二者通断的插板阀(3),所述真空工作室(1)和辅助真空室(2)内设有可在二者之间传送工件的工件传送装置(4)。
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