[发明专利]一种用电熔氧化锆尾气制备高纯气相二氧化硅的方法无效
| 申请号： | 201210264724.8 | 申请日： | 2012-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102730701A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张清河;梁国庆 | 申请（专利权）人： | 焦作市科力达科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 454191 河南省焦*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用电熔氧化锆尾气制备高纯气相二氧化硅的方法，该方法依次包括以下步骤：1）氧化，所述氧化步骤是将电熔氧化锆尾气与氧气含量为60~80%的净化气体混合充分反应，得到含气相二氧化硅的混合气体；2）冷却，将含气相二氧化硅的混合气体冷却至220~280℃；3）分离，将冷却后的含气相二氧化硅的混合气体进行分离，得到气相二氧化硅。与现有技术相比，本发明利用电熔氧化锆尾气制备的气相二氧化硅粒度在0.1-1.0um之间、白度在92-96之间、纯度在98％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用电 氧化锆 尾气 制备 高纯 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种用电熔氧化锆尾气制备高纯气相二氧化硅的方法，其特征在于，该方法依次包括以下步骤：1）氧化，所述氧化步骤是将电熔氧化锆尾气与氧气含量为60~80%的净化气体混合充分反应，得到含气相二氧化硅的混合气体；2）冷却，将含气相二氧化硅的混合气体冷却至220~280℃；3）分离，将冷却后的含气相二氧化硅的混合气体进行分离，得到气相二氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于焦作市科力达科技有限公司，未经焦作市科力达科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210264724.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：模块化计算平台系统及其风扇的控制方法
- 下一篇：动静脉穿刺止血带
