[发明专利]一种传感器的制造方法有效
申请号: | 201210262564.3 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102790062A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 徐少颖;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种传感器的制造方法,包括:在衬底基板上形成数据线的图形、漏极的图形、源极的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形,以及透明电极的图形;通过一次构图工艺形成欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成有源层的图形;通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形;通过一次构图工艺形成栅线的图形、栅极的图形和偏压电极的图形。本发明方法对比于现有技术,减少了掩模板的使用数量,降低了制造成本,简化了生产工艺,大大提升了设备产能及产品的良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种传感器的制造方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成数据线的图形、与数据线连接的漏极的图形、与漏极相对而置形成沟道的源极的图形、与源极连接的接收电极的图形、位于接收电极之上的光电二极管的图形,以及位于光电二极管之上的透明电极的图形;通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形;通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形;通过一次构图工艺形成位于有源层之上的栅极绝缘层的图形;通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上的栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形和位于透明电极之上的偏压电极的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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