[发明专利]一种传感器及其制造方法有效
申请号: | 201210262563.9 | 申请日: | 2012-07-26 |
公开(公告)号: | CN102790061A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 李田生;阎长江;徐少颖;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种传感器及其制造方法,所述传感器包括:包括:衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元,每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件,其中,所述薄膜晶体管器件为底栅型;所述光电二极管传感器件包括:与漏极连接的接收电极、位于接收电极之上并覆盖所述薄膜晶体管器件的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极,以及与透明电极连接的偏压线。与传统的传感器相比,光电二极管和透明电极的覆盖面积增大,传感器的整体光接收面积增大,对光的吸收利用率提高,成像品质得到提升,并且能耗也有所降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种传感器,其特征在于,包括:衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元,每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件,其中,所述薄膜晶体管器件包括:位于衬底基板之上并与相邻的栅线连接的栅极;位于栅极之上的栅极绝缘层;位于栅极绝缘层之上的有源层;位于有源层之上的欧姆层;位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极,所述源极与相邻的数据线连接;以及位于源极、漏极和沟道之上的阻挡层;所述光电二极管传感器件包括:与漏极连接的接收电极、位于接收电极之上并覆盖所述薄膜晶体管器件的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极,以及与透明电极连接的偏压线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的