[发明专利]IGBT器件及其制作工艺方法

摘要

本发明公开了一种IGBT制造工艺方法，通过对所述N基区进行双面高温N型杂质扩散，形成双面N型掺杂区，包括正面N型掺杂区及背面N型掺杂区；对所述正面N型掺杂区进行减薄，保留下来的所述正面N型区做为载流子存储层；对所述背面N型掺杂区进行减薄，保留下来的所述背面N型区作为N型缓冲层；不仅形成了正面的载流子存储层，改善了器件的安全工作区，而且同时形成了背面的深的N型缓冲层，实现了器件的耐压与导通压降的最优化。本发明同时公开了使用该方法制造的器件。

主权项

一种IGBT制造工艺方法，其特征在于，包括：步骤1、准备一N型区熔硅作为N基区；步骤2、对所述N基区进行双面高温N型杂质扩散，形成双面N型掺杂区，包括正面N型掺杂区及背面N型掺杂区；步骤3、对所述正面N型掺杂区进行减薄，保留下来的所述正面N型区做为载流子存储层；步骤4、在所述载流子存储层上进行IGBT器件的深沟槽工艺，形成深沟槽极；步骤5、在所述载流子存储层上进行IGBT器件的P阱注入，高温退火工艺、形成导通P型沟道；步骤6、在所述P阱上进行IGBT器件的P+注入，高温退火工艺，形成P型重掺杂区；步骤7、进行IGBT器件的N+注入、高温退火工艺，形成IGBT的发射极；步骤8、进行IGBT器件的隔离介质层工艺，形成隔离介质层，并进行接触孔光刻与蚀刻，打开接触孔；步骤9、进行IGBT器件的金属工艺，形成金属层，并进行金属光刻与蚀刻，将发射极与栅极引出；进行钝化层工艺，保护器件正面；步骤10、对所述背面N型掺杂区进行减薄，保留下来的所述背面N型区作为N型缓冲层；步骤11、上述器件制备的所有工艺进行完后，再进行背面的P+注入、激活推进、金属化等工艺，形成背面的集电极端及背面金属层。