[发明专利]一种三维集成电路结构的制作方法和三维集成电路结构

摘要

本发明公开了一种三维集成电路结构的制作方法和三维集成电路结构。该方法包括：提供基底；在基底上形成第一芯片介电层，在第一芯片介电层中形成第一芯片凹槽，在第一芯片凹槽中嵌入第一芯片；在第一芯片介电层上形成第一通孔介电层，在第一通孔介电层内形成第一导电通孔和第一导电沟槽；在第一通孔介电层上形成第二芯片介电层，在第二芯片介电层中形成第二芯片凹槽，在第二芯片凹槽中嵌入第二芯片；在第二芯片介电层上形成第二通孔介电层，在第二通孔介电层内形成第二导电通孔、在第二芯片介电层和第二通孔介电层内形成第三导电通孔，在第二通孔介电层内形成第二导电沟槽。该制作方法能够降低三维集成电路结构的制作成本。

主权项

一种三维集成电路结构的制作方法，其特征在于，包括：步骤A，提供基底；步骤B，在所述基底上形成第一芯片介电层，在所述第一芯片介电层中形成第一芯片凹槽，在所述第一芯片凹槽中嵌入第一芯片，所述第一芯片的上表面具有第一焊垫；步骤C，在所述第一芯片介电层上形成第一通孔介电层，在所述第一通孔介电层内形成第一导电通孔和第一导电沟槽，其中所述第一导电通孔与所述第一焊垫电连接，所述第一导电沟槽位于所述第一通孔介电层的上表面；步骤D，在所述第一通孔介电层上形成第二芯片介电层，在所述第二芯片介电层中形成第二芯片凹槽，在所述第二芯片凹槽中嵌入第二芯片，所述第二芯片的上表面具有第二焊垫；以及步骤E，在所述第二芯片介电层上形成第二通孔介电层，在所述第二通孔介电层内形成第二导电通孔、在所述第二芯片介电层和所述第二通孔介电层内形成第三导电通孔，在所述第二通孔介电层内形成第二导电沟槽，其中所述第二导电通孔与所述第二焊垫电连接，所述第三导电通孔与所述第一导电沟槽电连接。