[发明专利]一种可变电容及其制作方法无效
| 申请号： | 201210256999.7 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103094360A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 靳纯艳;王金延;方敏;张波;王茂俊;于民;解冰;吴文刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可变电容及其制作方法。该可变电容包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。该方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；在高迁移率GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上采用ICP-RIE方法刻蚀隔离岛；然后涂光刻胶，进行光刻、曝光并显影，形成肖特基电极图形；再通过电子束蒸发一金属层，将光刻胶剥离后形成可变电容。利用本发明，可在GaN基上实现与高电子迁移率晶体管HEMT工艺兼容的可变电容，对于实现LNAs、VCOs以及混频器等电路有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可变电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种可变电容，其特征在于，包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。
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