[发明专利]一种原位氧化提高硅纳米线阵列场发射性能的方法有效
| 申请号： | 201210256049.4 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102856141A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨亚军;刘宪云;蒋美萍;谢建生;吉高峰;曹先胜 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于场发射材料的一维纳米材料，特指一种原位氧化提高硅纳米线阵列场发射性能的方法。本发明的技术方案是采用无电化学腐蚀法制备Si纳米线阵列，然后采用原位部分氧化法将Si纳米线阵列转化为SiOx包覆的Si纳米线芯壳结构阵列，由于SiOx具有较低的电子亲和势(0.6-0.8eV)，所以可有效增强Si纳米线阵列的场发射性能，而且SiOx还可作为Si纳米线阵列的保护层，提高Si纳米线阵列的场发射稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 氧化 提高 纳米 阵列 发射 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种原位氧化提高硅纳米线阵列场发射性能的方法，包括如下步骤：1）选用单晶硅片，分别用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗，去除表面杂质；2）用HF和 AgNO3按比例配制腐蚀液，并装入聚四氟乙烯瓶内，将硅片浸没在腐蚀液中，然后将聚四氟乙烯瓶放入烘箱内恒温加热；3）腐蚀结束后将硅片取出，用去离子水清洗，用HNO3浸泡硅片，用于去除硅片表面包覆的 Ag，在硅片表面得到 Si纳米线阵列；4）将硅片放入陶瓷舟内，然后将陶瓷舟放入水平管式炉中心温区处，通入氧气，并升温加热，Si纳米线阵列表面形成一层氧化层，Si纳米线阵列转化为SiOx包覆的Si纳米线芯壳结构阵列。
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