[发明专利]平行金属互连结构的形成方法有效
申请号: | 201210254239.2 | 申请日: | 2012-07-20 |
公开(公告)号: | CN103579084B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 张海洋;胡敏达;张城龙 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种平行金属互连结构的形成方法,包括:提供基底,在基底上形成若干平行的牺牲栅极;在牺牲栅极的四周侧壁形成侧墙;在基底上形成介质层,介质层覆盖牺牲栅极和侧墙;化学机械研磨介质层,并过研磨去除部分厚度的牺牲栅极和侧墙;去除剩余的侧墙,形成环绕牺牲栅极的凹槽;在凹槽中填充满金属,形成金属侧墙;形成覆盖介质层、牺牲栅极和金属侧墙表面的硬掩膜层,所述硬掩膜层具有第一开口和第二开口,第一开口和第二开口暴露牺牲栅极两端的沿宽度方向分布的金属侧墙;沿第一开口和第二开口刻蚀去除的暴露的金属侧墙,剩余的金属侧墙构成平行的金属互连结构。提高了金属互连结构本身宽度和相邻金属互连结构之间间距的精度。 | ||
搜索关键词: | 平行 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种平行金属互连结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,在所述基底上形成若干平行的牺牲栅极,每个牺牲栅极的长度相等;采用自对准无掩膜等离子体刻蚀工艺,在牺牲栅极的四周侧壁表面形成侧墙;在所述基底上形成介质层,所述介质层覆盖所述牺牲栅极和侧墙;采用化学机械研磨工艺研磨所述介质层,并过研磨去除部分厚度的所述牺牲栅极和侧墙,使剩余的侧墙的顶部的宽度变大;去除剩余的侧墙,形成环绕所述牺牲栅极的凹槽;在凹槽中填充满金属,形成金属侧墙;形成覆盖所述介质层、牺牲栅极和金属侧墙表面的硬掩膜层,所述硬掩膜层具有第一开口和第二开口,第一开口和第二开口暴露牺牲栅极两端的沿宽度方向分布的金属侧墙;沿第一开口和第二开口刻蚀去除牺牲栅极两端的沿宽度方向分布的金属侧墙,剩余的沿牺牲栅极长度方向分布的金属侧墙构成平行的金属互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造