[发明专利]非晶硅膜的成膜方法及成膜装置有效
| 申请号： | 201210251656.1 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102891075A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 柿本明修;高木聪;五十岚一将 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：加热基底，向加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在基底表面上形成晶种层；加热基底，向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；对形成为层成长的厚度的非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种非晶硅膜的成膜方法，其用于在基底上形成包括非晶硅膜的膜，其特征在于，该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：（1）加热上述基底，向上述加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在上述基底表面上形成晶种层；（2）加热上述基底，向上述加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在上述晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；（3）对形成为上述层成长的厚度的上述非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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