[发明专利]电阻式触摸屏用氧化铟锡膜及其制备方法和制备设备有效
| 申请号： | 201210251040.4 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102766849A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 王学雷;夏国涛;柳锡运;李章国;王春平;王战娥 | 申请（专利权）人： | 深圳南玻显示器件科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种电阻式触摸屏用氧化铟锡膜的制备方法，包括如下步骤：在室温条件下，在柔性基片上形成厚度为8纳米~17纳米的氧化铟锡膜；在压强为0.3Pa~0.4Pa的含氧气体中，将形成有氧化铟锡膜的柔性基片于紫外线中照射60秒~100秒后，得到结晶化的氧化铟锡膜；其中，所述紫外线照射的强度为25mw/cm2~35mw/cm2，波长为150纳米~300纳米。上述电阻式触摸屏用氧化铟锡膜的制备方法制备的电阻式触摸屏用氧化铟锡膜的划线寿命较高。此外，还要提供一种电阻式触摸屏用氧化铟锡膜和其制备设备。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 触摸屏 氧化 铟锡膜 及其 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种电阻式触摸屏用氧化铟锡膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在室温条件下，在柔性基片上形成厚度为8纳米~17纳米的氧化铟锡膜；及在压强为0.3Pa~0.4Pa的含氧气体中，将形成有所述氧化铟锡膜的柔性基片于紫外线中照射60秒~100秒后，得到结晶化的氧化铟锡膜；其中，所述紫外线照射的强度为25mw/cm2~35mw/cm2，波长为150纳米~300纳米。
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