[发明专利]一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法有效
| 申请号： | 201210249772.X | 申请日： | 2012-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103578904A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陶铮;松尾裕史;曹雪操 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法，所述等离子处理装置至少包括两个腔室，每个腔室在较低位置处设有一个阴极，在所述阴极上连接有射频功率源，基片放置于腔室上进行制程，其中，所述方法包括如下步骤：(a)通入第一制程气体至多个腔室，同时施加第一频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第一制程；(c)施加第二频率于先完成制程的腔室，以维持等离子体于刚好不熄灭状态；（e）通入第二制程气体至多个腔室，同时施加第三频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第二制程。本发明能够显著改善等离子处理腔室的颗粒污染，并且提高了制程的稳定性和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多腔室 等离子 处理 装置 减少 颗粒 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法，所述等离子处理装置至少包括两个腔室，每个腔室在较低位置处设有一个阴极，在所述阴极上连接有射频功率源，基片放置于腔室上进行制程，其中，所述方法包括如下步骤：(a)，通入第一制程气体至多个腔室，同时施加第一频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第一制程；(c)，施加第二频率于先完成制程的腔室，以维持等离子体于刚好不熄灭状态；（e），通入第二制程气体至多个腔室，同时施加第三频率于多个腔室，以激发等离子体分别对基片执行第二制程。
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