[发明专利]钼系光催化材料制备及应用无效
| 申请号： | 201210245454.6 | 申请日： | 2012-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103537277A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 史海峰;解宇轩 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | B01J23/31 | 分类号： | B01J23/31;B01J23/68 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了两种白钨矿结构的ABi(MoO4)2(A＝Na，Ag)的制备方法及其光催化降解有机物的性能。这两种材料采用高温固相反应法合成，其制备方法包括：将Na2CO3或Ag2O、Bi2O3和MoO3粉末按照化学计量比的量置于研钵中，加入少量乙醇研磨半小时，使粉末混合均匀。然后将粉末置于氧化铝坩埚内，在高温炉中加热650℃，煅烧10小时后自然降温。本发明提供了两种新型的钼系光催化材料，这两种光催化材料具有结构稳定、制备工艺简单等特点。NaBi(MoO4)2的光催化活性高于AgBi(MoO4)2。 | ||
| 搜索关键词： | 光催化 材料 制备 应用 | ||
【主权项】：
两种白钨矿结构的ABi(MoO4)2(A＝Na，Ag)的制备方法，包括以下步骤：将Na2CO3或Ag2O、Bi2O3和MoO3粉末按照化学计量比的量置于研钵中，加入少量乙醇研磨半小时，使粉末混合均匀。然后将粉末置于氧化铝坩埚内，在高温炉中加热650℃，煅烧10小时后自然降温。
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