[发明专利]一种LPCVD沉积多晶硅的方法

摘要

本发明揭示了一种LPCVD沉积多晶硅的方法，通过在沉积之前分阶段升温，以及在沉积之后分阶段降温，从而使管壁上的沉积颗粒物在温度变化过程中能够脱落，然后利用同步的氮气吹洗，保证这些颗粒物不会对晶圆表面造成污染，不仅增加了多晶硅薄膜的沉积品质，同时由于减少内管在单次沉积过程中累计的沉积颗粒物，增加了内管的检修周期，从而提升了生产效率。

主权项

一种LPCVD沉积多晶硅的方法，其特征在于：包括待机阶段、晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、内管清洗阶段、模拟沉积阶段、沉积阶段、后清除阶段、返压阶段以及晶舟卸载阶段，其中所述抽真空阶段和所述内管清洗阶段中具有升温步骤，该升温步骤将内管内的温度从待机温度升温到沉积温度，所述后清除阶段中具有降温步骤，该降温步骤将内管内温度从沉积温度降到待机温度。