[发明专利]双光路半导体吸收型光纤温度传感器无效

专利信息
申请号: 201210245071.9 申请日: 2012-07-16
公开(公告)号: CN103542957A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 肖智宽;于晓晖;胡正东 申请(专利权)人: 成都酷玩网络科技有限公司
主分类号: G01K11/32 分类号: G01K11/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种双光路半导体吸收型光纤温度传感器,包括稳压电源、发光管、光开关、控制电路、单片机、温度探头、FET组件和低通滤波器,所述发光管的电源输入端与稳压电源的输出端连接,所述发光管的信号输出端与所述光开关串联后与所述温度探头的输入端连接,所述温度探头的输出端依次连接所述FET组件和所述低通滤波器后与所述单片机的信号输入端连接;所述光开关还通过所述控制电路与所述单片机的控制输入端连接;所述发光管包括相互并联连接的AlGaAs发光管和InGaAsP发光管。本发明通过对两个光源的信号对比计算得到实际检测温度,其测量精度高可达0.01℃,适合超长距离和恶劣环境中的应用。
搜索关键词: 双光路 半导体 吸收 光纤 温度传感器
【主权项】:
一种双光路半导体吸收型光纤温度传感器,其特征在于:包括稳压电源、发光管、光开关、控制电路、单片机、温度探头、FET组件和低通滤波器,所述发光管的电源输入端与稳压电源的输出端连接,所述发光管的信号输出端与所述光开关串联后与所述温度探头的输入端连接,所述温度探头的输出端依次连接所述FET组件和所述低通滤波器后与所述单片机的信号输入端连接;所述光开关还通过所述控制电路与所述单片机的控制输入端连接;所述发光管包括相互并联连接的AlGaAs发光管和InGaAsP发光管。
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