[发明专利]一种冶金法提纯工业硅的工艺有效
| 申请号： | 201210245028.2 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102774840A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 孙艳辉;陈红雨;王博 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谭志强 |
| 地址： | 510006 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种冶金法提纯工业硅的工艺，包括以下步骤：1）将工业硅块置于真空环境中加热至其熔化，并保持该温度40-80min以精炼硅块；2）在上步的真空环境中导入含氧气、水蒸气的保护气氛以使得保护气氛中的氧气、水蒸气与硅块中的杂质充分反应，保护气氛的导入流量为50-100ml/min；此步中，工业硅块依然处于熔化状态；3）将上步得到的硅液骤冷，形成碎晶；4）将碎晶破碎、球磨，再用酸浸泡、水洗涤、干燥即可。本工艺流程简单，能耗低，同时无需引入任何金属氧化物造渣剂，避免了造渣剂带来的二次污染；并可将工业硅纯化至太阳能级多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 提纯 工业 工艺 | ||
【主权项】：
一种冶金法提纯工业硅的工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）将工业硅块置于真空环境中加热至其熔化，并保持该温度40‑80min以精炼硅块；2）在上步的真空环境中导入含氧气、水蒸气的保护气氛以使得保护气氛中的氧气、水蒸气与硅块中的杂质充分反应，保护气氛的导入流量为50‑100ml/min；此步中，工业硅块依然处于熔化状态；3）将上步得到的硅液骤冷，形成碎晶；4）将碎晶破碎、球磨，再用酸浸泡、水洗涤、干燥即可。
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