[发明专利]基于FPGA的外扩DDR2的读写方法及基于FPGA的外扩DDR2颗粒存储器有效

专利信息
申请号: 201210244513.8 申请日: 2012-07-16
公开(公告)号: CN102789424A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 刘大同;彭宇;刘连胜;见其拓;刘川;庞业勇 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张果瑞
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 基于FPGA的外扩DDR2的读写方法及基于FPGA的外扩DDR2颗粒存储器,属于存储介质领域,本发明为解决现有DDR2数据存储技术不具有通用性的问题。本发明对于高速数据采集、高速通讯和数字信号处理中产生的大批量的数据,通过FPGA的处理和转换,存储在大容量的DDR2存储单元中,并在提出请求时读出。存储和读取的控制信号由FPGA中的DDR2控制逻辑完成,当外部器件或FPGA中其他逻辑模块提出读写请求时,DDR2控制逻辑将请求信号转换为DDR2颗粒的控制信号,并且将读写数据和地址进行相应的转换,与DDR2进行数据交换。硬件设计的核心部分为FPGA内部的逻辑设计,该部分采用Verilog语言实现。
搜索关键词: 基于 fpga ddr2 读写 方法 颗粒 存储器
【主权项】:
基于FPGA的外扩DDR2的读写方法,该方法涉及的设备包括FPGA和DDR2,FPGA中设置DDR2控制逻辑模块(1),DDR2控制逻辑模块(1)控制DDR2的读写操作;DDR2控制逻辑模块(1)包括WFIFO(1‑1)、RFIFO(1‑2)、DDR2控制器驱动模块(1‑3)和DDR2控制器(1‑4),其特征在于,该方法包括写步骤和读步骤:写步骤包括以下步骤:当WFIFO(1‑1)空闲时,外部逻辑向WFIFO(1‑1)写入数据的步骤;WFIFO(1‑1)完成写操作后,发送标志位给外部逻辑的步骤;当DDR2控制器(1‑4)空闲时,外部逻辑向DDR2控制器驱动模块(1‑3)发送写DDR2请求信号,同时发送通道信息、数据允许位、地址和地址有效位的步骤;DDR2控制器驱动模块(1‑3)将该写DDR2请求信号传递给DDR2控制器(1‑4)的步骤;当DDR2控制器驱动模块(1‑3)接收到DDR2控制器(1‑4)返回的请求数据信号后,DDR2控制器驱动模块(1‑3)读取WFIFO(1‑1)中写满的数据,并将该数据通过DDR2控制器(1‑4)存储在DDR2中的步骤;读步骤包括以下步骤:当DDR2控制器(1‑4)空闲时,外部逻辑向DDR2控制器驱动模块(1‑3)发送读DDR2请求信号,同时发送地址、地址允许位和数据允许位的步骤;DDR2控制器驱动模块(1‑3)将该读DDR2请求信号发送给DDR2控制器(1‑4)的步骤;DDR2控制器(1‑4)从DDR2中将相应地址中数据取出,同时数据有效位标志置为有效的步骤;将数据有效位标志作为RFIFO(1‑2)的写请求信号,将DDR2中取出的数据写入RFIFO(1‑2)中的步骤;完成请求次数的读操作后,外部逻辑向RFIFO(1‑2)发送读请求,从RFIFO(1‑2)中将数据输出的步骤。
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