[发明专利]一种SOI SiGe BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种制备SOI SiGe BiCMOS集成器件及制备方法，在SOI衬底上生长N型Si外延，制备浅槽隔离，形成集电极接触区，刻蚀形成侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，淀积N型Poly-Si，去除Poly-Si，形成SiGe HBT器件；在衬底上生长应变SiGe材料，对器件有源区隔离，光刻NMOS器件有源区，对其进行P型离子注入，制备伪栅，自对准生成MOS器件的源漏区，去除伪栅，在伪栅处压印槽中制备氧化镧材料形成栅介质和金属钨形成栅极，光刻引线，制成集成器件及电路。该方法充分利用了SiGe的特点，制备的集成电路使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。

主权项

一种SOI SiGe BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件和PMOS器件均为应变SiGe MOS器件，双极器件为SiGe HBT器件。