[发明专利]一种三多晶SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210244429.6 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102916040A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张鹤鸣;周春宇;宋建军;胡辉勇;宣荣喜;王斌;王海栋;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体集成电路领域，提供了一种三多晶SOI SiGeHBT集成器件及制备方法，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，淀积介质层，制备浅槽隔离，光刻集电区浅槽隔离区域，制备集电区浅槽隔离，刻蚀并淀积介质层，光刻基区浅槽隔离区域，制备基区浅槽隔离，光刻集电极、磷离子注入，光刻基极、硼离子注入，光刻发射极、磷离子注入，形成集电极、基极和发射极接触区，最终形成HBT器件，构成基区厚度为20～60nm的HBT集成电路。本发明所提出的工艺方法与现有CMOS集成电路加工工艺兼容，在资金和设备投入很小的情况下，能够制备出基于SOI的BiCMOS集成器件及电路，使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 soi sige hbt 平面 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三多晶SOI SiGe HBT集成器件，其特征在于，所述集成器件制备在SOI衬底上。
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