[发明专利]一种SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法有效
| 申请号： | 201210244397.X | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102842600A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 宋建军;胡辉勇;吕懿;张鹤鸣;宣荣喜;王斌;舒斌;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，淀积介质层，制备浅槽隔离，光刻集电区浅槽隔离区域，制备集电区浅槽隔离，刻蚀并淀积介质层，光刻基区浅槽隔离区域，制备基区浅槽隔离，光刻集电区并磷离子注入，形成集电极接触区，光刻基区并硼离子注入，形成基极接触区，最终形成SiGe HBT器件，最后光刻发射区、基区和集电区引线孔，金属化，光刻引线，构成基区厚度为20～60nm的HBT集成电路；本发明所提出的工艺方法与现有CMOS集成电路加工工艺兼容，因此，可以在资金和设备投入很小的情况下，制备出基于SOI的BiCMOS器件及集成电路，使现有的模拟和数模混合集成电路性能获得大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi sige hbt 平面 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI SiGe HBT平面集成器件，其特征在于，所述集成器件采用非多晶SOI SiGe HBT。
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