[发明专利]一种三应变三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种三应变、三多晶平面BiCMOS集成器件及制备方法，在衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，制备集电极接触区，再制备基区和发射区，然后形成SiGe HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区深槽，在槽中分别选择性外延生长：P型Si层、P型SiGe渐变层、P型SiGe层、P型应变Si层作为NMOS器件有源区和N型Si层、N型应变SiGe层、N型Si帽层作为PMOS器件有源区；制备虚栅极，进行MOS器件轻掺杂源漏（LDD）注入，制备侧墙，自对准形成MOS器件源漏；刻蚀虚栅，淀积SiON栅介质层和W-TiN复合栅，形成CMOS结构，最终构成BiCMOS电路。该方法充分利用电子迁移率高的张应变Si和空穴迁移率高的压应变SiGe分别作为NMOS和PMOS器件的导电沟道，有效地提高了BiCMOS集成电路的性能。

主权项

一种三应变三多晶平面BiCMOS集成器件，其特征在于，应变Si平面沟道 NMOS器件、应变SiGe平面沟道PMOS器件及三多晶SiGe HBT器件。