[发明专利]一种SF6 断路器弧后热气体电击穿发生概率的评估方法有效
申请号: | 201210243060.7 | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN102789548A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 李兴文;贾申利;赵虎;姜旭 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G06F19/00 | 分类号: | G06F19/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提出一种评估SF6断路器弧后热气体电击穿发生概率的方法,其特征在于按照下述步骤进行:1)通过求解Boltzmann方程,得到电子能量分布函数(EEDF),进而确定不同温度和压强下SF6气体的临界击穿场强Ecr;2)通过SF6电弧的MHD仿真分析,确定弧后灭弧室内压强和温度分布;3)比较灭弧室内各点处由恢复电压引起的场强Ea与相应温度和压强下SF6的Ecr,可评估灭弧室内各点发生电击穿的概率。该方法对于是否采用聚四氟乙烯(PTFE)喷口材料的SF6断路器的弧后电击穿特性评估均适用,为SF6高压断路器弧后电击穿特性的评估提供了一种有效的方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 sf sub 断路器 弧后热 气体 击穿 发生 概率 评估 方法 | ||
【主权项】:
一种评估SF6断路器弧后热气体电击穿发生概率的方法,其特征在于,按照下述步骤进行:(1)确定不同温度和压强下SF6气体的临界击穿场强Ecr;(2)通过建立SF6电弧的磁流体动力学(MHD)仿真分析,确定弧后灭弧室内压强和温度分布;(3)比较灭弧室内各点处由恢复电压引起的场强Ea与相应温度和压强下SF6的Ecr,确定灭弧室内各点发生电击穿的概率大小Ea/Ecr。
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