[发明专利]功率MOSFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201210242445.1 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103137697A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴;段孝勤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOSFET，其包括从半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内的半导体区，其中所述半导体区为第一导电类型。栅极介电层和栅电极设置在所述半导体区上方。漂移区为与第一导电类型相反的第二导电类型，并且从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内。介电层具有在所述第一漂移区上方且与第一漂移区接触的一部分。导电场板位于所述介电层上方。源极区和漏极区在所述栅电极的相对侧。所述漏极区与所述第一漂移区接触。底层金属层在所述场板上方。本发明还公开了功率MOSFET的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：半导体衬底；半导体区，从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内，其中所述半导体区为第一导电类型；栅极介电层，在所述半导体区上方；栅电极，在所述栅极介电层上方；第一漂移区，从所述半导体衬底的所述顶面延伸至所述半导体衬底内，其中所述第一漂移区为与第一导电类型相反的第二导电类型；介电层，包括在所述第一漂移区的顶面上方且与所述第一漂移区的所述顶面接触的第一部分；场板，在所述介电层上方，其中所述场板导电并且包括在所述介电层的所述第一部分上方的第一部分；源极区，在所述栅电极的第一侧；漏极区，在所述栅电极的与所述第一侧相对的第二侧，其中所述漏极区与所述第一漂移区接触；以及底层金属层，在所述场板上方。
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