[发明专利]具有良好稳定性的氮化物基半导体器件无效
| 申请号： | 201210241844.6 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881718A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L33/32;H01L33/12;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物基半导体器件。该氮化物基半导体器件包括：基底；AlSixC1-x预处理层，形成在基底上；掺杂铝的GaN层，形成在AlSixC1-x预处理层上；AlGaN层，形成在掺杂铝的GaN层上。该氮化物基半导体器件可包括AlSixC1-x预处理层，因此可容易消除由基底和形成在基底上的氮化物半导体层之间的性能（例如，晶格常数和膨胀系数）的差异导致的氮化物半导体层中的应力。因此，在氮化物半导体层中产生的裂纹的存在可被最少化并且可改善氮化物半导体层的表面粗糙度，因此可改善氮化物基半导体器件的稳定性和性能。氮化物基器件可包括Al含量从基底逐渐降低的渐变AlGaN层，因此，在氮化物半导体层中产生的裂纹的存在可被最少化并且可形成具有稳定结构的氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 良好 稳定性 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物基半导体器件，所述氮化物基半导体器件包括：基底；AlSixC1‑x预处理层，形成在基底上；掺杂Al的GaN层，形成在AlSixC1‑x预处理层上；AlGaN层，形成在掺杂Al的GaN层上。
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