[发明专利]具有改进的暗电流性能的图像传感器

摘要

本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。第一压缩应力层包括氮化硅。图像传感器器件包括形成与压缩应力层上的金属防护罩。金属防护罩形成在黑电平校正区域的至少一部分上。图像传感器器件包括形成在金属防护罩以及第一压缩应力层上的第二压缩应力层。第二压缩应力层包括氧化硅。金属防护罩的侧壁由第二压缩应力层保护。本发明还公开了具有改进的暗电流性能的图像传感器。

主权项

一种半导体图像传感器器件，包括：具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的半导体衬底，所述衬底包括多个接近所述第一侧的辐射感测区域；设置在所述衬底的所述第二侧上的第一压缩层；设置在部分所述第一压缩层上的金属器件；以及设置在所述金属器件上的第二压缩层。