[发明专利]一种半导体钝化层处理方法无效
| 申请号： | 201210238998.X | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545198A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 裴芳 | 申请（专利权）人： | 裴芳 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315112 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体钝化层处理方法，它包括把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜，在一个半导体芯片上，等离子体化学气相淀积SiN—多晶硅复合薄膜中的SiN层，有保护半导体金属引线不受划伤，在温度范围145℃-660℃内防止多晶硅薄膜中的H逸出，使用金属—介质复合可有效防止高频损坏对管芯。本发明设计一种半导体钝化层处理方法，主要作用就是保护器件，有很好的防潮和防水的能力，同时能够防止内金属的后腐蚀，防潮能减少漏电流，也能有效防止高频损坏管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 钝化 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体钝化层处理方法，等离子体化学气相淀积的Si N薄膜和多晶硅薄膜，它是将把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜，其特征在于：在一个半导体芯片上，等离子体化学气相淀积Si N —多晶硅复合薄膜中的表面钝化工艺方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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