[发明专利]多晶硅电迁移测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201210238569.2 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545293A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多晶硅电迁移测试结构及测试方法，所述多晶硅电迁移测试结构包括：两个相同的待检测多晶硅器件，两个相同的金属互连结构，电流输入端和电流输出端；位于所述电流输入端和电流输出端之间的两条串联电路，每一个串联电路包括一个待检测多晶硅器件和一个金属互连结构，所述两条串联电路之间并联连接，其中一条串联电路通过待检测多晶硅器件的一端与电流输入端相连接，另一条串联电路通过金属互连结构的一端与电流输入端相连接。利用所述多晶硅电迁移测试结构来检测待检测多晶硅器件的电阻变化值时，获得的电阻变化值因为消除了温度、施加测试电流对待检测多晶硅器件产生的影响，从而准确获得电迁移对待检测多晶硅器件的电阻的变化程度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 迁移 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电迁移测试结构，其特征在于，包括：两个相同的待检测多晶硅器件，两个相同的金属互连结构，电流输入端和电流输出端；位于所述电流输入端和电流输出端之间的两条串联电路，每一个串联电路包括一个待检测多晶硅器件和一个金属互连结构，所述两条串联电路之间并联连接，其中一条串联电路通过待检测多晶硅器件的一端与电流输入端相连接，另一条串联电路通过金属互连结构的一端与电流输入端相连接。
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