[发明专利]一种GeTe4相变记忆元件及制备方法无效
| 申请号： | 201210235824.8 | 申请日： | 2012-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102769101A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李润;夏奕东;唐时宇;殷江;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种GeTe4相变记忆元件，选用GeTe4薄膜为相变记忆存储材料，所述GeTe4薄膜在室温下为非晶态；相变记忆元件的基本构型为三层结构，最上面一层为顶电极膜（1），中间一层为GeTe4薄膜（2），下面一层为底电极膜（3），由顶电极膜（1）和底电极膜（3）分别接出用铜丝或金丝制成引线；GeTe4薄膜（2）厚120±30纳米；三层结构制备相变记忆元件沉积在衬底（5）上。针对相变记忆存储器的发展，提供一种新型相变记忆材料GeTe4薄膜及其制备方法，得到GeTe4相变记忆元件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gete sub 相变 记忆 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GeTe4相变记忆元件，其特征是选用GeTe4薄膜为相变记忆存储材料，所述GeTe4薄膜在室温下为非晶态；相变记忆元件的基本构型为三层结构，最上面一层为顶电极膜（1），中间一层为GeTe4薄膜（2），下面一层为底电极膜（3），由顶电极膜（1）和底电极膜（3）分别接出用铜丝或金丝制成引线；GeTe4薄膜（2）厚120±30纳米；三层结构制备相变记忆元件沉积在衬底（5）上。
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