[发明专利]一种晶体硅表面织构方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅表面织构方法，采用四乙基氢氧化铵（TEAOH）水溶液替代传统微电子行业、光伏行业中晶体硅片织构过程中使用较多的KOH水溶液作为腐蚀液，在腐蚀液浓度为4~8wt.%、腐蚀温度为70~77℃、腐蚀时间为36~40分钟的织构工艺条件下，实现优异的各向异性腐蚀，消除碱金属离子给行业相关后续操作带来的影响。本发明的织构工艺腐蚀速率高、各向异性腐蚀效果好、表面均匀性好、成本低，与微电子技术、光伏技术可以实现更好的兼容，是一种理想的晶体硅表面织构工艺。

主权项

一种晶体硅表面织构方法，其特征在于，采用浓度为4~8wt.% 的四乙基氢氧化铵水溶液作为腐蚀剂，所述方法包括以下步骤：A、腐蚀液的配制以电阻率>18MW的去离子水和浓度为25wt.%的四乙基氢氧化铵为原料，配制浓度为4~8wt.%的四乙基氢氧化铵水溶液作为腐蚀液；B、使用带磁力搅拌器的恒温水浴锅作为织构装置，将上述配制好的腐蚀液放入烧杯内，加热升温至70~77℃，将表面预处理后的单晶硅片放入腐蚀液中腐蚀，腐蚀过程中，通过搅拌磁子保持腐蚀液温度恒定和浓度均匀，腐蚀完成的单晶硅片用去离子水清洗。