[发明专利]磁性隧道结在审
| 申请号： | 201210229507.5 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103531707A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;张佳;余天;张晓光;韩秀峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及尖晶石氧化物势垒的磁性隧道结及其器件应用，磁性隧道结的势垒采用尖晶石氧化物组成。该隧道结可以是单势垒或者双势垒的结构。本发明提供的新型势垒磁性隧道结可以应用于自旋电子器件中，包括磁敏传感器、磁性随机存取存储器单元、磁逻辑器件单元、自旋晶体管和自旋场效应管。基于这些新型势垒的磁性隧道结，势垒层与磁性电极晶格失配度较低，在保持高的室温隧穿磁电阻比值的同时，偏压依赖特性比较弱，击穿电压得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结，包括具有势垒层的核心多层膜结构，其特征在于：所述势垒层由具有尖晶石结构的以化学式AB2O4所表示的材料组成，厚度为0.5~5.0nm，其中A、B为金属元素。
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