[发明专利]金属互连结构及其制作方法

摘要

一种金属互连结构及其制作方法。制作方法包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；接着在该半导体衬底自下而上依次形成阻挡层、介电层、硬掩膜层；然后在硬掩膜层上定义出用以形成沟槽的条状区域；之后在该条状区域的硬掩膜层上定义出用以形成通孔的图形化光刻胶；随后以该图形化光刻胶为掩膜刻蚀介电层以形成通孔；再接着以条状区域的硬掩膜层为掩膜刻蚀介电层以形成沟槽，此时通孔底部的阻挡层暴露；之后进行干法去除通孔底部的阻挡层以使半导体衬底的目标电连接区域暴露，并将相邻条状区域的硬掩膜层之间的尺寸进行扩大；随后在通孔及沟槽内填充导电材质。采用本发明的技术方案，提供了一种无空洞、电连接性能佳的金属互连结构。

主权项

一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成介电层；在所述介电层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上定义出用以形成沟槽的条状区域，去除所述条状区域外的硬掩膜层；利用光刻刻蚀工艺在保留的硬掩膜层上定义出用以形成通孔的图形化光刻胶，定义的所述通孔位于所述保留的硬掩膜层的相邻条状区域之间；以所述图形化光刻胶为掩膜刻蚀所述介电层以形成通孔；以所述条状区域的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述介电层以形成沟槽，所述通孔底部的阻挡层暴露；干法去除所述通孔底部的阻挡层以使半导体衬底的目标电连接区域暴露，并将相邻条状区域的硬掩膜层之间的尺寸进行扩大；在所述通孔及所述沟槽内填充导电材质。