[发明专利]一种MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 201210228418.9 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103531471A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOSFET及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离；在半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；蚀刻所述衬底，以在所述衬底的源漏区形成第一沟槽；在所述栅极间隔壁两侧形成第二间隔壁；以所述第二间隔壁为掩膜进一步蚀刻所述半导体衬底，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽表面外延生长牺牲材料层；蚀刻去除所述第二间隔壁；外延生长硅材料层并在所述栅极间隔壁两侧形成第三间隔壁；蚀刻所述浅沟槽隔离，以露出所述的牺牲材料层；蚀刻去除所述牺牲材料层，沉积生长层间介质层并平坦化，在所述源漏区相对侧面形成空气埋层。本发明能很好的消除短沟道效应、寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离；在所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；以所述栅极间隔壁为掩膜，蚀刻所述衬底，以在所述衬底的源漏区形成第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁和所述栅极间隔壁两侧形成第二间隔壁；以所述第二间隔壁为掩膜进一步蚀刻所述半导体衬底，以形成第二沟槽；在所述第二沟槽表面外延生长牺牲材料层；蚀刻去除所述第二间隔壁；外延生长硅材料层并在所述栅极间隔壁两侧形成第三间隔壁；蚀刻所述浅沟槽隔离，以露出所述的牺牲材料层；蚀刻去除所述牺牲材料层，沉积生长层间介质层并平坦化，在所述源漏区相对侧面形成空气埋层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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