[发明专利]CuO和In2O3微纳米异质周期结构功能材料及其制备方法

摘要

本发明的CuO和In2O3微纳米异质周期结构功能材料及其制备方法属于半导体异质结构材料的技术领域。功能材料由隆起部分和低谷部分周期性交替组装而成；隆起部分是由纳米CuO堆积形成，低谷部分是由纳米In2O3堆积形成；一条隆起的CuO和相邻的一条低谷的In2O3构成一个周期。制备方法是在硝酸根存在的溶液中，在方波电势的作用下，Cu2O和In(OH)3被交替沉积出来，再经过高温处理过程，得到CuO和In2O3异质周期结构材料。本发明制备出的功能材料具有良好光学、电学、气敏性质和较高的稳定性；本发明采用不同频率的生长电压制备出周期不同的异质结构材料，具有生长面积可控、周期性可调的特点。

主权项

一种CuO和In2O3微纳米异质周期结构功能材料，由隆起部分和低谷部分周期性交替组装而成；所述的隆起部分，是由纳米CuO堆积形成，堆积高度相对较大；所述的低谷部分，是由纳米In2O3堆积形成，堆积高度相对较小；所述的周期性，是一条隆起的CuO和相邻的一条低谷的In2O3构成一个周期，每个周期的长度为0．5～1.5微米。