[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201210224723.0 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102738328A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 韩杰;魏世桢 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及制造方法，外延片包括：衬底、依次覆盖在衬底上的缓冲层、至少一个N型层、发光层、至少一个P型层和透明导电层，至少一个P型层中的一个P型层包括至少3个子P型层，各子P型层的厚度和掺杂浓度不同。方法：提供衬底并在衬底上依次生长缓冲层、至少一个N型层、发光层、至少一个P型层和透明导电层，生长至少一个P型层中的一个P型层包括：以第一预定掺杂浓度沉积，使P型层生长至第一厚度；以第二预定掺杂浓度沉积，使P型层生长至第二厚度；以第三预定掺杂浓度沉积，使P型层生长至第三厚度。本发明提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、依次覆盖在所述衬底上的缓冲层、至少一个N型层、发光层、至少一个P型层和透明导电层，其特征在于，所述至少一个P型层中的一个P型层包括至少3个子P型层，各所述子P型层的厚度和掺杂浓度不同。
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