[发明专利]AZO薄膜、制备方法以及包括其的MEMS器件有效
| 申请号： | 201210219726.5 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103508406A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 谢岩;李展信 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;C23C26/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 中国无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种AZO薄膜、制备方法以及包括其的MEMS器件，属于透明导电薄膜技术领域。该AZO（铝掺杂氧化锌）薄膜，其形成于衬底之上，所述AZO薄膜的铝掺杂浓度在薄膜厚度方向上逐渐递增。该制备方法中使用溶胶-凝胶法制备形成该AZO薄膜。该MEMS（微机电系统）器件使用该AZO薄膜并在该AZO薄膜之上化学气相沉积成膜形成复合薄膜层。该AZO薄膜导电性能好，且能与复合薄膜层晶格匹配良好，热膨胀也相匹配，并且AZO薄膜成本低、无毒、无污染、制备简单。 | ||
| 搜索关键词： | azo 薄膜 制备 方法 以及 包括 mems 器件 | ||
【主权项】：
一种铝掺杂氧化锌薄膜，其形成于衬底之上，其特征在于，所述铝掺杂氧化锌薄膜的铝掺杂浓度在薄膜厚度方向上逐渐递增。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210219726.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种测定样品浊点的方法
- 下一篇：钢胚缺陷光学检测系统及其检测方法
