[发明专利]制造电磁辐射探测器的方法及通过该方法获得的探测器

摘要

一种用于移除电磁辐射探测电路的生长衬底的方法，所述电磁辐射特别是在红外范围或可见光范围内的电磁辐射，所述探测电路包括由通过液相外延或气相外延或通过分子束外延而获得的Hg(1-x)CdxTe制成的探测所述辐射的层，所述探测电路混接在读取电路上。该方法包括：使生长衬底经受机械抛光或化学-机械抛光步骤或化学蚀刻步骤以减小其厚度，直至探测电路的材料与生长衬底之间的界面区域；以及使由此获得的界面经受碘处理。

主权项

一种用于移除电磁辐射探测电路(3、4、5)的生长衬底(4)的方法，所述电磁辐射特别是在红外范围或可见光范围内的电磁辐射，所述探测电路包括由通过液相外延或气相外延或通过分子束外延获得的Hg(1‑x)CdxTe制成的探测所述辐射的层(3)，所述探测电路混接在读取电路(1)上，所述方法包括：●使所述生长衬底(4)经受机械抛光或化学‑机械抛光步骤或化学蚀刻步骤以减小其厚度，直至所述探测电路的材料与所述生长衬底之间的界面区域；●以及使由此获得的所述界面经受碘处理。