[发明专利]长磁传感器及制造方法有效
申请号: | 201210219386.6 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN103512588A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 时启猛;曲炳郡 | 申请(专利权)人: | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12;G07D7/04;G01R17/00 |
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地址: | 100083 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有大范围检测能力的长磁传感器,包括:外壳;长磁传感芯片,长磁传感芯片位于外壳内,其中,长磁传感器芯片为GMR效应磁敏感元件,GMR效应磁敏感元件包括基体;至少两段彼此平行且互相分开的GMR磁敏感薄膜,GMR磁敏感薄膜沉积在基体上;第一组电极对,敷设在GMR磁敏感薄膜的两侧;第二组电极对敷设在GMR磁敏感薄膜的两端。电性连接组件,电性连接组件位于外壳内部,且与磁传感芯片相连;线路支撑体,位于外壳内部且与电性连接组件套设连接,用于支撑长磁传感芯片和电性连接组件。本发明的长磁传感器具有结构简单,生产成本低,体积小,厚度薄,灵敏度高等特点。本发明还公开了一种长磁传感器的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有大范围检测能力的长磁传感器,包括:外壳;长磁传感器芯片,所述长磁传感器芯片位于所述外壳内,其中,所述长磁传感器芯片为GMR效应磁敏感元件,其中,所述GMR效应磁敏感元件包括:基体;至少两段彼此平行且互相分开的GMR磁敏感薄膜,所述GMR磁敏感薄膜沉积在所述基体上;第一组电极对,所述第一组电极对敷设在所述GMR磁敏感薄膜的两侧;第二组电极对,所述第二组电极对敷设在所述GMR磁敏感薄膜的两端,其中所述第一组电极对与所述第二组电极对分别独立与所述GMR磁敏感薄膜电性连接;电性连接组件,所述电性连接组件位于所述外壳内部,且与所述长磁传感芯片相连;以及线路支撑体,所述线路支撑体位于所述外壳内部且与所述电性连接组件套设连接,用于支撑所述长磁传感芯片和所述电性连接组件。
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