[发明专利]读取数据方法以及数据写入方法有效

专利信息
申请号: 201210216196.9 申请日: 2012-06-27
公开(公告)号: CN103514104A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 庄玉平;艾骏;胡胜发 申请(专利权)人: 安凯(广州)微电子技术有限公司
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 510663 广东省广州市萝岗区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例提供了一种向NAND闪存写入数据方法以及读取NAND闪存中数据的方法,向NAND闪存写入数据方法包括:将本次写操作需要写入的数据对应的页码转换成相应的逻辑地址与逻辑页地址;确定最新物理地址,从所述最新物理地址的下一物理页地址开始依次将所述本次写操作需要写入的数据写入物理页的数据存储区域,在每写完一物理页后,将写入这一物理页中数据对应的逻辑页地址存储至所述这一物理页的地址存储区域;根据本次写操作中逻辑页地址、物理页地址以及物理块地址的对应关系,对所述链表的原始动态映射页中的对应关系进行更新。采用本发明实施例的写入数据方法可以提高物理页的使用率以及读写NAND闪存的速率。
搜索关键词: 读取 数据 方法 以及 写入
【主权项】:
一种向NAND闪存写入数据方法,其特征在于,包括:A1、将本次写操作需要写入的数据对应的页码转换成相应的逻辑地址与逻辑页地址;A2、确定所述逻辑地址对应的链表的当前链表头在上次写操作中最后被写入数据的物理页的最新物理地址;A3、从所述最新物理地址的下一物理页地址开始依次将所述本次写操作需要写入的数据写入物理页的数据存储区域,在每写完一物理页后,将写入这一物理页中数据对应的逻辑页地址存储至所述这一物理页的地址存储区域,每一物理页包括数据存储区域以及地址存储区域;A4、根据本次写操作中每一逻辑页地址、所述每一逻辑页地址对应的逻辑页所在的物理页的物理页地址以及所述每一逻辑页地址对应的逻辑页所在的物理块的物理块地址的对应关系,对所述链表原始的动态映射页中的逻辑页地址与物理页地址和物理块地址的对应关系进行更新,所述动态映射页存储有有效数据对应的逻辑页地址、所述有效数据对应的逻辑页地址对应的逻辑页所在的物理页的物理页地址以及所述有效数据对应的逻辑页地址对应的逻辑页所在的物理块的物理块地址的对应关系。
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