[发明专利]金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法无效
| 申请号： | 201210215016.5 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102751175A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 朱开贵;陈芳芳 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法。这种方法能够使得非晶硅薄膜的晶化微区形成点阵，可用于微器件的制造。该方法主要包括以下步骤：（1）金属点阵制备。首先在衬底材料上制备金属点阵。金属材料可以是Ni、Al、Au、Ag、Pd等可诱导非晶硅晶化的任意一种或几种金属。金属点阵的制备方法可以通过光刻的方法以光刻胶做掩模，然后镀金属薄膜，再将光刻胶去掉。金属薄膜可以通过蒸发、溅射、化学气相沉积等薄膜制备手段制备。（2）非晶硅薄膜制备。在制备了金属点阵的衬底上制备非晶硅薄膜。（3）通过退火的过程使得金属点阵区域的非晶硅晶化，得到非晶硅晶化点阵。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 点阵 诱导 非晶硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种金属诱导非晶硅薄膜晶化形成硅晶粒点阵的方法，其特征在于步骤在于：（1）金属点阵的制备；（2）非晶硅薄膜的制备；(3)非晶硅薄膜的金属诱导晶化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210215016.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
