[发明专利]数据储存方法、存储器控制器与存储器储存装置

摘要

本发明提出一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据储存方法。此方法包括：接收欲储存至第一逻辑地址的页数据。本方法也包括：判断可复写式非易失性存储器模块的储存状态是否符合预设状态；若是，使用第一写入模式来将页数据写入至可复写式非易失性存储器模块；并且若否，使用第二写入模式来将页数据写入至可复写式非易失性存储器模块，其中在第一写入模式中下物理编程单元会被使用来写入数据且上物理编程单元不会被用来写入数据，并且在第二写入模式中下与上物理编程单元会被用来写入数据。

主权项

一种数据储存方法，用于在一可复写式非易失性存储器模块中储存数据，其中该可复写式非易失性存储器模块具有多个物理抹除单元，每一所述多个物理抹除单元具有多个物理编程单元，所述多个物理编程单元包括多个下物理编程单元与多个上物理编程单元并且将数据写入至所述多个下物理编程单元的速度大于将数据写入至所述多个上物理编程单元的速度，该数据储存方法包括：配置多个逻辑地址；从一主机系统中接收一页数据，其中该主机系统指示将该页数据储存至所述多个逻辑地址之中的一第一逻辑地址；从所述多个物理抹除单元中选择一第一物理抹除单元，其中该第一物理抹除单元属于一闲置物理抹除单元；判断该可复写式非易失性存储器模块的储存状态是否符合一预设状态；倘若该可复写式非易失性存储器模块的储存状态符合该预设状态时，使用一第一写入模式来将该页数据写入至该第一物理抹除单元的物理编程单元之中的一第一物理编程单元中，将该第一逻辑地址映射至该第一物理编程单元，其中在该第一写入模式中该第一物理抹除单元的下物理编程单元会被使用来写入数据且该第一物理抹除单元的上物理编程单元不会被用来写入数据；以及倘若该可复写式非易失性存储器模块的储存状态不符合该预设状态时，使用一第二写入模式来将该页数据写入至该第一物理抹除单元的物理编程单元之中的一第二物理编程单元中，将该第一逻辑地址映射至该第二物理编程单元，其中在该第二写入模式中该第一物理抹除单元的下物理编程单元与上物理编程单元会被用来写入数据。