[发明专利]用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201210205978.2 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102842657A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 中田尚幸;牛田泰久 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了呈现出改善的光提取性能的III族氮化物半导体发光器件。在制造方法中，在30kPa压力和1.5×1020/cm3的Mg浓度下通过MOCVD法在发光层上形成p-AlGaN的p覆盖层。在具有III族元素极性的晶体中形成具有氮极性的多个区域，从而p覆盖层在其表面上具有六角形柱状凹凸形状。随后，通过MOCVD方法在p覆盖层上沿着该凹凸形状以膜的形式形成GaN的p接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 iii 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有p覆盖层和p接触层的III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：通过Mg掺杂的晶体生长使晶体的至少一部分的极性反转从而形成所述p覆盖层使得在所述p覆盖层上具有凹凸形状；并且在所述p覆盖层上沿着所述凹凸形状形成所述p接触层。
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