[发明专利]一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201210199250.3 申请日: 2012-06-18
公开(公告)号: CN102694080A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 朱红兵;黄跃龙;尹晶晶;高锦成;马云祥;冯燕;贺天太 申请(专利权)人: 保定天威薄膜光伏有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 唐山顺诚专利事务所 13106 代理人: 于文顺
地址: 071051 河北省保定市*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,属于硅基薄膜太阳能电池生产技术领域。技术方案是:包含二氧化钛背反射薄膜(4)、封装背板(5)、硅基薄膜电池(2)、透明前基板(1)和封装材料(3);封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后,将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装。本发明的积极效果:将高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后通过层压工艺将两者进行封装,这样将有效地提高电池效率,同时提高了节拍、增加了产能、简化了电池制备工艺,降低电池的制备成本,并可广泛用于实际的批量工业生产中。
搜索关键词: 一种 新型 氧化 反射 结构 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池,其特征在于:包含二氧化钛背反射薄膜(4)、封装背板(5)、硅基薄膜电池(2)、透明前基板(1)和封装材料(3);封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行,然后,将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装。
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