[发明专利]具有增大焊接接触面的晶圆级封装结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种具有增大焊接接触面的晶圆级封装结构及制备方法。先形成一个第一塑封层覆盖在晶圆的正面，并在晶圆的背面研磨，然后在芯片的背面刻蚀出通孔，之后在通孔中填充金属形成底部金属互连结构并在芯片的背面进行金属化，从而利用底部金属互连结构将位于芯片背面的电极传导到芯片的正面。从晶圆背面实施切割形成将芯片分割开的切割槽，并形成覆盖住芯片背面金属的另一层第二塑封层，研磨减薄第一塑封层以形成位于芯片正面的顶部塑封层，并在顶部塑封层中形成顶部金属互连结构，顶部金属互连结构将位于顶部塑封层上的金属焊盘电性连接到位于芯片正面的电极上。之后对第二塑封层及切割槽中的塑封料实施切割以分离出多颗晶圆级塑封体。

主权项

一种具有增大焊接接触面的晶圆级封装结构的制备方法，其中，在晶圆所包含的芯片的正面设置有多个第一类金属焊盘，其特征在于，包括以下步骤：在芯片的正面形成至少一个第二类金属焊盘；形成一将第一类、第二类金属焊盘包覆住的第一塑封层覆盖在晶圆的正面；在晶圆的背面进行刻蚀以在晶圆所包含的芯片中形成接触第二类金属焊盘的底部通孔，并在底部通孔中填充金属以形成接触第二类金属焊盘的底部金属互连结构；形成一与所述底部金属互连结构接触的金属层覆盖在晶圆的背面；从晶圆的背面对晶圆及金属层进行切割以形成位于晶圆及金属层中的多个切割槽，所述切割槽延伸至第一塑封层中并将晶圆所包含的多个芯片彼此分隔开，以及，任意一芯片的背面均形成有一个由金属层进行切割所构成的底部金属层；利用塑封料形成一第二塑封层覆盖在所述底部金属层上，且在形成第二塑封层的同时塑封料还填充在所述切割槽中；研磨减薄第一塑封层直至填充在所述切割槽中的塑封料在第一塑封层中予以外露，并且第一塑封层经研磨后形成覆盖在芯片正面的顶部塑封层；在顶部塑封层中形成分别接触第一类、第二类金属焊盘的多个顶部通孔，并在顶部通孔中填充金属以形成分别接触第一类、第二类金属焊盘的多个顶部金属互连结构；在顶部塑封层上形成多个接触焊盘，并且，任意一个接触焊盘均通过至少一个顶部金属互连结构相对应的电性连接到一个第一类金属焊盘或一个第二类金属焊盘上；沿所述切割槽对第二塑封层及填充在切割槽中的塑封料进行切割，第二塑封层被切割成包覆在底部金属层上的底部塑封层。