[发明专利]一种可调控介质层磁性的阻变存储器有效
| 申请号： | 201210186988.6 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102738391A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 宋成;潘峰;陈光;彭晶晶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调控介质层磁性的阻变存储器。该阻变存储其包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其中，所述底电极和顶电极均为铂电极或者金电极；所述介质层为过渡金属Co、Fe和Ni等掺杂的氧化锌高阻态稀磁氧化物薄膜，该具有稀磁特性的ZnO薄膜由下述原子百分数的元素组成：过渡金属为1.0～3.0at.﹪，Zn为47.0～49.0at.﹪，其余为O。采用阻变的方式调控ZnO基稀磁氧化物存储介质层磁性的变化，这种磁性强弱的变化可以用作信息的存储，增加了信息存储的维度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 介质 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
一种可调控介质层磁性的阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其特征在于：所述介质层为过渡金属掺杂的氧化锌薄膜。
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