[发明专利]校正光学邻近校正模型的方法有效
申请号: | 201210184916.8 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN103472672A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 黄宜斌 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种校正光学邻近校正模型的方法,包括:提供具有图形的半导体衬底;对图形进行数据采样,获得采样数据;将采样数据分成第一组数据和第二组数据;利用第一组数据校正待校正的光学邻近校正模型,获得校正的光学邻近校正模型;利用校正的光学邻近校正模型获得模拟图形,对模拟图形进行数据采样获得模拟数据,与第一组数据对应的模拟数据与第一组数据之间的误差小于预定值;判断第二组数据对应的模拟数据与第二组数据之间的误差是否小于预定值;如果判断结果为是,将校正的光学邻近校正模型作为校正好的光学邻近校正模型;如果判断结果为否,重新校正待校正的光学邻近校正模型。本技术方案对待校正光学邻近校正模型进行校正耗费的时间相对很短。 | ||
搜索关键词: | 校正 光学 邻近 模型 方法 | ||
【主权项】:
一种校正光学邻近校正模型的方法,其特征在于,包括:提供具有图形的半导体衬底;对所述图形进行数据采样,获得采样数据;将所述采样数据分成第一组数据和第二组数据,且所述第一组数据包括所述图形中基准点的采样数据,所述基准点为决定曝光能量大小的图形;提供待校正的光学邻近校正模型;利用所述第一组数据校正所述待校正的光学邻近校正模型,获得校正的光学邻近校正模型;利用所述校正的光学邻近校正模型获得模拟图形,对所述模拟图形进行数据采样获得模拟数据,与所述第一组数据对应的模拟数据与所述第一组数据之间的误差小于预定值;判断所述第二组数据对应的模拟数据与所述第二组数据之间的误差是否小于所述预定值;如果判断结果为是,将所述校正的光学邻近校正模型作为校正好的光学邻近校正模型;如果判断结果为否,重新校正所述待校正的光学邻近校正模型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210184916.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备