[发明专利]极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数二氧化钒薄膜制备方法有效
| 申请号： | 201210180294.1 | 申请日： | 2012-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102703873A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐晓峰;何鑫峰;汪海旸;陈效双;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201620 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法，其特征在于：该方法分为以下2个步骤，步骤1：利用磁控溅射镀膜仪的金属钒靶对Al2O3基片进行直流溅射，制备金属钒薄膜；步骤2：将金属钒薄膜置于快速退火炉内进行氧化处理，再将氧化后的金属钒薄膜取出并置于空气中自然冷却，获得多晶VO2薄膜。本发明提供的极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法简单易行、重复性好，通过扫描电子显微镜和四探针测试仪分析表明，所制备的VO2薄膜具有纳米片状结构，其回滞曲线宽度仅有0.4℃左右，几乎重合，且具有很高的TCR。 | ||
| 搜索关键词： | 极窄回滞 曲线 宽度 电阻 温度 系数 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数VO2薄膜制备方法，其特征在于：该方法分为以下2个步骤：步骤1：利用磁控溅射镀膜仪的金属钒靶对Al2O3基片进行直流溅射，制备金属钒薄膜；步骤2：将金属钒薄膜置于快速退火炉内进行氧化处理，再将氧化后的金属钒薄膜取出并置于空气中自然冷却，获得多晶VO2薄膜。
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