[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201210171440.4 | 申请日: | 2012-05-29 |
公开(公告)号: | CN102664187A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 洪孟逸 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 夏雪 |
地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机发光二极管显示器,包括:基板主体;信号线,位于基板主体上;电流供应线,位于基板主体上;第一TFT,第一TFT包括第一TFT氧化物半导体层、第一TFT源极、第一TFT漏极、第一TFT栅极;第二TFT,第二TFT包括第二TFT氧化物半导体层、第二TFT源极、第二TFT漏极、第二TFT栅极;共通电极,位于第一TFT与第二TFT之间;有机发光层,位于共通电极之上;透明电极,位于有机发光层之上、且透明电极连接到第二TFT的漏极。本发明还公开了一种制造有机发光二极管显示器的方法。本发明解决现有技术底发光开口率不足以及顶发光共通电极导电性差的问题。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光二极管显示器,包括:基板主体;信号线,位于基板主体上;电流供应线,位于基板主体上;第一TFT,第一TFT包括第一TFT氧化物半导体层、第一TFT源极、第一TFT漏极、第一TFT栅极;第二TFT,第二TFT包括第二TFT氧化物半导体层、第二TFT源极、第二TFT漏极、第二TFT栅极;共通电极,位于第一TFT与第二TFT之间;有机发光层,位于共通电极之上;透明电极,位于有机发光层之上、且透明电极连接到第二TFT的漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的